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。同时，U74HC165芯片共有两个封装，分别是SOP-16和TSSOP-16。
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
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高压启动开关控制 VCC 电容的启动，传统开关电源控制器都是外接启动电阻对IC 的VCC 脚位电容充电启动，UCS165XS 系列责使用内含高压启动开关从功率管drain 脚位抽取线输入电流进行恒流启动，启动恒定电流约为600uA，其优点是无论线输入电压高低，充电电流恒定，避免了传统开关电源系统外接电阻启动在低输入线电压条件下的启动电流极低的尴尬，因此UCS165XS 系列启动速度极快，对高值电容限制低。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。
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U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
业内预计微软、谷歌等硅谷大厂也将同步加大向英伟达的采购力度。据悉，OpenAI已采用约2.5万颗英伟达GPU来满足其当前的服务器需求，且规模持续扩增中。从下游来看，受益于ChatGPT走红，英伟达客户对于AI芯片的需求快速飙升。
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG\TL431NSG-SC59.3R-ATG\LR2125G-SC59.5R-AD-TG\UT3N01ZG-SOT323R-TG\LD1117AG-TO252R-18-ATG\UT2302G-SC59.3R-TG。
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IC 内部所有功能块开始工作，之后的时间里Drain 脚位仅受内部功率管控制。
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