CSD25501F3
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
数量：6000
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PICOSTAR-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.05 V
Qg-栅极电荷: 1.02 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 945 ns
正向跨导 - 最小值: 3.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 428 ns
系列: CSD25501F3
华富芯（深圳）智能科技有限公司
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