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IPD26N06S2L-35数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降时间: 11 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: IPD26N06S2L35ATMA1 SP000252165
单位重量: 4 g
