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IPG20N06S4L-26数据表
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms， 21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Qg-栅极电荷: 20 nC， 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 33 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS-T2
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降时间: 10 ns， 10 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85423901
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.5 ns， 1.5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8542399000
典型关闭延迟时间: 18 ns， 18 ns
典型接通延迟时间: 5 ns， 5 ns
零件号别名: IPG20N06S4L26ATMA1 IPG2N6S4L26XT SP000705588
