SI2308BDS-T1-GE3 vishay MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23
SI2308BDS-T1-GE3产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 156 mOhm @ 1.9A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6.8nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 190pF @ 30V
功率 - 最大 1.66W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 1.9 A
RDS -于 156@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 11 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1090
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 156@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 1.9
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.3A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 156 mOhm @ 1.9A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.66W
输入电容（Ciss ） @ VDS 190pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6.8nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2308BDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.156 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.09 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.3 nC V @ 4.5， 4.5 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 190 pF V @ 30
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.9 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 156 mOhms
功率耗散 1.09 W
封装/外壳 SOT-23-3
零件号别名 SI2308BDS-GE3
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
漏极电流（最大值） 1.9 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 60 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :2.3A
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :192mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :3V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
功耗 :1.09W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :1.9A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V
北京时间3月14日凌晨消息，据国外媒体报道，苹果公司欧洲总部又有两名员工感染新冠病毒，使得欧洲总部感染病毒的员工数量上升至3人。
苹果欧洲总部位于爱尔兰科克郡( Cork)Hollyhill地区， 本周早些时候，苹果已经证实那里有一名员工感染新冠病毒，这也是苹果首个被确诊感染的员工。
而据当地媒体报道，苹果欧洲总部又有两名员工的新冠病毒检测呈阳性。这意味着这里已有3名员工感染病毒。
报道称，在第一起病例发生后，苹果欧洲总部进行了深度清理。为了避免传染，位于Hollyhill的四座主要办公楼的工作人员都被分开。
目前，尚不清楚这两名新感染病毒的员工在苹果担任什么职位，而苹果也尚未对此公开发表评论。但据一名被指示在家办公的苹果员工称，情况“令人担忧”。
目前，苹果在爱尔兰各地拥有6000多名员工，其中绝大部分位于Hollyhill地区。
为了预防疫情，苹果之前已经采取了一系列措施，包括让部分员工在家办公，增加了零售店清洁工的人数，在零售店门前安装了洗手液站。
还有报道称，苹果零售员工和小时工，如果出现型冠状病毒感染症状，不需要医生的证明，就可以无限期休假。
昨日又有报道称，苹果已通知部分零售店的员工，尽量不要让顾客试戴Apple Watch智能手表和AirPod无线耳机。
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据人民日报，日前，京东方合肥10.5代TFT-LCD生产线实现满产，月投入玻璃基板达到120万片，在65英寸、75英寸市场的全球出货量排名居首。
得益于京东方的带动，目前，合肥新型显示产业基地已集聚企业80家，涵盖面板、基板、偏光片、显示光源等全部生产环节，2018年规模以上企业产值888亿元。
2015年，京东方在安徽合肥自主投建10.5代线。10.5代线是全球最高世代线，也是全球首条，设计产能为每月12万片玻璃基板。京东方表示，从技术来看，京东方10.5代线在产品设计开发、工艺保障、技术控制难度等方面，超过了以往任何一条液晶面板生产线。2017年12月20日，京东方合肥第10.5代TFT-LCD生产线提前投产。
在OLED方面，京东方在多地有布局。今年8月，京东方发布半年度报告指出，京东方OLED也实现新突破。上半年，成都第6代柔性AMOLED生产线出货量超千片，较去年增加超300%，良率水平创新高，达到业内较高水平;绵阳第6代柔性AMOLED生产线已实现量产出货;重庆第6代柔性AMOLED生产线建设按计划推进。
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