SI2305CDS-T1-GE3 -8 V 5.0 A 35 Mohm 漏源导通电阻 当4.5 V时 12 nC Qg SOT-23
SI2305CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 8V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 5.8A
Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 4.4A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 30nC @ 8V
输入电容（Ciss）@ Vds的 960pF @ 4V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 8 V
最大连续漏极电流 4.4 A
RDS -于 35@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 20 ns
典型关闭延迟时间 40 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 960
最大漏源电压 8
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 35@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 4.4
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.25W
匹配代码 SI2305CDS-T1-GE3
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 3.5A
V（ DS ） 8V
R（ DS上） 0.052Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4.4A (Ta)， 5.8A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 8V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 35 mOhm @ 4.4A， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
输入电容（Ciss ） @ VDS 960pF @ 4V
闸电荷（Qg ） @ VGS 30nC @ 8V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2305CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.035 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.96 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 12 nC V @ 4.5， 20 nC V @ 8
典型输入电容@ VDS 960 pF V @ 4
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 4.4 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 35 mOhms at 4.5 V
功率耗散 960 mW
零件号别名 SI2305CDS-GE3
上升时间 20 ns
漏源击穿电压 8 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 20 ns
栅源电压（最大值） ?8 V
漏源导通电阻 0.035 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 8 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :-5.8A
Drain Source Voltage Vds :-8V
On Resistance Rds(on) :28mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-400mV
功耗 :960mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :-5.8A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
北京时间3月13日晚间消息，据国外媒体报道，施乐公司今日宣布，鉴于新冠病毒疫情日益升级，公司决定暂时停止收购惠普相关事宜，包括会见惠普股东，接受媒体采访等。
但施乐同时强调，此举主要是为了确保员工、客户和渠道合作伙伴的健康和安全，而收购惠普的计划并未改变，将来还会继续推进。
施乐CEO约翰·维森丁（John Visentin）称：“我们一直在密切关注全球政府和医疗保健机构的相关报告，并与商界同事合作，力争将病毒的传播和影响降至最低。因此，我们认为，推迟发布额外的信息，暂时不接受媒体采访，暂停与惠普股东的会议是谨慎之举。这样，我们将拥有更多的时间和资源来保护施乐的各个利益相关者免受疫情的影响。”
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去年11月初，施乐向惠普提出收购要约，计划以每股22美元的现金和股票收购惠普，价值约335亿美元）。但该报价被惠普多次拒绝，惠普认为，施乐的报价大大低估了惠普的价值。
随后，施乐启动了敌意并购程序，直接与惠普股东接触，寻求他们的支持。但今年2月，施乐又宣布将收购惠普的报价提高到每股24美元，相当于约340亿美元。
2月20日，惠普宣布了“毒丸计划”，旨在反击施乐。惠普董事会在声明中称，已通过了一项股东权利计划，并宣布对惠普每股已发行普通股分配一股优先股购买权。这也就意味着惠普的流通股数量可能扩大，从而增加施乐收购惠普的难度。
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9月22日，由芯智讯主办的2019生物识别技术与应用高峰论坛在深圳科兴科学园正式拉开帷幕。随着智能手机、移动支付、智慧安防以及智能家居等产业的高速发展，诸如指纹识别、人脸识别、语音识别等生物识别技术正迎来了发展良机，越多越多的生物识别技术正被广泛应用到各大商业、政企、消费类市场中。而如今伴随着应用需求的提高，市场对于生物识别技术的安全性、识别速度、准确性、成本等都提出了更高的要求。
本次高峰论坛以“融合·创新”为主题，邀请到了从业人脸识别、语音（声纹）识别、指纹识别、眼球追踪、虹膜识别等众多生物识别技术领域的知名企业和技术专家，包括中科院深圳先进技术研究院数字所所长乔宇、中国科学院深圳先进技术研究院集成所研究员陈巍、声扬科技首席科学家张伟彬博士、英特尔实感产品事业部中国区销售总监何火高、七鑫易维手机业务部产品总监孔祥晖、小优智能科技副总经理代启强、嘉楠科技销售总裁蔡博、中科虹霸移动业务商务总监陈桦以及思立微高级产品经理孙云刚，共同推进生物识别新技术的交流与落地，探讨生物识别技术未来的发展方向。
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