型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NVD6415ANT4G

MOSFET–Power,N-Channel100V,23A,55m

Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability •100AvalancheTested •NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NVD6415ANT4G

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

MOSFET–Power,N-Channel100V,23A,55m

Features •LowRDS(on) •HighCurrentCapability •100AvalancheTested •NVDPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

文件:862.12 Kbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-ChannelPowerMOSFET100V,23A,55m廓

文件:143.93 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NVD6415ANT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NVD6415ANT4G

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-1 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
O
23+
TO-252
10000
公司只做原装正品
ON(安森美)
6000
O
22+
TO-252
6000
十年配单,只做原装
ON/安森美
21+
TO-252
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
VBSEMI
19+
TO-252
29600
绝对原装现货,价格优势!
ON/安森美
23+
NA
6000
原装正品,优势订货
ON
2021
N/A
6000
onsemi
21+
PG-SOT223-3
21000
专业分立半导体,原装渠道正品现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263(D
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!

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