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NTHL040N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M1,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M1,D2PAK-7

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ

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更新时间:2024-6-5 21:18:00
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