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NTHL020N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,1200V,M1,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boost

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,1200V,M1,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

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更新时间:2024-5-31 23:00:00
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