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NTH4L070N120M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons

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更新时间:2024-5-31 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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