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NTH4L040N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typica

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-9 22:59:00
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