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NTH4L040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel

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ONSEMI
更新时间:2024-5-31 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
TO247-4
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
onsemi(安森美)
23+
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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TO-247-3
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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原装正品优势现货!
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21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
ON
2023+
TO247-4
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
onsemi
23/22+
NA
9000
代理渠道.实单必成
ON
23+
TO247-4
10000
正规渠道,只有原装!
ON
21+
TO247-4
10000
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

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