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NTH4L020N090SC1

SiliconCarbideSiCMOSFET-20mohm,900V,M2,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinter

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-5-31 23:00:00
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