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NTH4L013N120M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,13mohm,1200V,M3S,TO-247-4L

Features Typ.RDS(on)=13m@VGS=18V UltraLowGateCharge(QG(tot)=254nC) HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=262pF) 100AvalancheTested ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-5-31 23:00:00
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