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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTC040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,BareDie

Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl

ONSEMION Semiconductor

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NTBG040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,D2PAK-7

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ

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NTHL040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •

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NVBG040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve

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NVHL040N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=140pF) •100UILTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinte

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更新时间：2024-6-12 20:00:00
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