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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB30N06G | PowerMOSFET30Amps,60Volts 文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NTB30N06G | N-Channel60V(D-S)MOSFET 文件：1.32122 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
FastSwitching 文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
NTB30N06G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB30N06G
- 功能描述
MOSFET NFET 60V 30A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
22+ |
原厂原装 |
100000 |
||||
O |
23+ |
D2PAK |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
D2PAK |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
ONS |
2023+ |
D2PAK |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
D2PAK |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
SR |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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