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NP88N055DHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT

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SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=44A) RDS(on)3=6.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=

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DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=5.0V,ID

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N-Channel60V(D-S)MOSFET

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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NP88N055DHE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP88N055DHE

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-262AA

更新时间:2024-4-28 18:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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6000
原装正品,支持实单
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