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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NP80N055CLE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=4 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP80N055CLE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2900 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
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NP80N055CLE | SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE 文件：79.49 Kbytes Page：8 Pages | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=4 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2900 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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NP80N055CLE产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP80N055CLE
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
R |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NEC |
23+ |
TO-262 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-220AB |
|||
VBsemi |
2229+ |
TO220 |
4550 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
原厂 |
2020+ |
TO-263 |
20000 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
TO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
R |
23+ |
TO263 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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2021-9-4NP90N04NUK-S18-AY 瑞智芯 只有原装
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2020-8-24NPA1006假一罚十
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2019-9-10
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