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NP80N04MHE-S18-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP80N04MHE-S18-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP80N04MHE-S18-AY

N-Channel40-V(D-S)MOSFET

文件:969.52 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP80N04MHE-S18-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N04MHE-S18-AY

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-6 9:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
R
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
APEC/富鼎
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
R
23+
TO-TO-220
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
VB
2019
TO-220
55000
绝对原装正品假一罚十!
VB
21+
TO220
10000
原装现货假一罚十
NEC
22+
35000
OEM工厂,中国区10年优质供应商!
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TO220
6000
诚信服务,绝对原装原盘

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