NP100P06PDG-E1-AY价格

参考价格:¥19.2317

型号:NP100P06PDG-E1-AY 品牌:Renesas 备注:这里有NP100P06PDG-E1-AY多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NP100P06PDG-E1-AY批发/采购报价,NP100P06PDG-E1-AY行情走势销售排行榜,NP100P06PDG-E1-AY报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP100P06PDG-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(

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NP100P06PDG-E1-AY

-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

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NP100P06PDG-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP100P06PDG-E1-AY

  • 功能描述

    MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-22 9:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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22+
TO-263
1000
全新原装亏本出13157115792
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2022
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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90000
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