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NP100N04NUJ

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP100N04NUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=5600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Highcurrentrating:ID

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP100N04NUJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NP100N04NUJ

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP100N04NUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=3.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) •LowCiss:Ciss=5600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Highcurrentrating:ID

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

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N-Channel4-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •SynchronousRectification •PowerSupplies

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel40-V(D-S)MOSFET

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N-Channel40-V(D-S)MOSFET

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NP100N04NUJ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP100N04NUJ

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
22+
TO-262
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
VBSEMI
19+
TO263
29600
绝对原装现货,价格优势!
VB
MP-25ZPTO-263
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
NEC-日本电气
24+25+/26+27+
TO-262-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
RENESA
22+
TO263
360000
进口原装房间现货实库实数
R
23+
TO263
35628
全新原装真实库存含13点增值税票!
NEC
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
RENESAS/瑞萨
TO-263
32687
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NEC
22+
TO-263
25000
只做原装进口现货,专注配单

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