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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NJVMJD2955T4G | ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NJVMJD2955T4G | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：散装 描述：TRANS PNP 60V 10A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
NJVMJD2955T4G | ComplementaryPowerTransistors 文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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NJVMJD2955T4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NJVMJD2955T4G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 60V TR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
DPAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
ON(安森美) |
标准封装 |
8000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ON/安森美 |
1922+ |
DPAK |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
ON/安森美 |
21+ |
DPAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
15000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON(安森美) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
36218 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
onsemi |
23/22+ |
NA |
2000 |
全线可订货.含税开票 |
|||
ON(安森美) |
6000 |
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