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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NEZ6472-4BD | C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
6.40-7.20GHz4-WattInternally-MatchedPowerFET 文件：162.95 Kbytes Page：4 Pages | Excelics Excelics |  | | |
6.40-7.20GHz4-WattInternally-MatchedPowerFET 文件：162.95 Kbytes Page：4 Pages | Excelics Excelics | | | |
6.4-7.2GHzMulti-StagePowerAmplifier 文件：163.09 Kbytes Page：4 Pages | Excelics Excelics | | | |
C-BandInternallyMatchedFET 文件：254.25 Kbytes Page：4 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 |  | |
NEZ6472-4BD产品属性
- 类型
描述
- 型号
NEZ6472-4BD
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
C-BAND POWER GAAS MESFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
NEC |
22+ |
NA |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
NEC |
1 |
||||||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
NEC |
23+ |
NA |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
27076 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||||
NEC |
23+ |
199 |
现货供应 |
||||
NEC |
NA |
1 |
|||||
NEC |
2022 |
103 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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NEZ6472-4BD规格书下载地址
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