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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NE5510279A-T1	SILICONPOWERMOSFET 4.8VOPERATIONSILICONRFPOWERLDMOSFET FOR1.8GHz2WTRANSMISSIONAMPLIFIERS DESCRIPTION TheNE5510279AisanN-channelsiliconpowerMOSFETspeciallydesignedasthetransmissionpoweramplifier for4.8VGSM1800handsets.DiesaremanufacturedusingourNEWMOStechnology(our0.6	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE5510279A-T1	3.5VOPERATIONSILICONRFPOWERMOSFETFORGSM1800TRANSMISSIONAMPLIFIERS 文件：39.5 Kbytes Page：5 Pages	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NE5510279A-T1	3.5VOPERATIONSILICONRFPOWERMOSFETFORGSM1800TRANSMISSIONAMPLIFIERS 文件：42.44 Kbytes Page：5 Pages	CEL California Eastern Laboratories

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更新时间：2024-5-16 15:50:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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NE5532ADR
NE5532ADR
2023-4-14
NE5532DRG4 TI/德州仪器 21+ SOP8
https://hfx03.114ic.com/
2022-2-19
NE5532DR原装热卖库存
型号：NE5532DR 制造商 TexasInstruments 制造商零件编号 NE5532DR 描述 ICOPAMPGP2CIRCUIT8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL）1（无限）详细描述通用-放大
2021-12-6
NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.NE3512S02-T1D
2019-12-17
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2019-3-22