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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1D | HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
NE3515S02-T1D | XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr | CEL California Eastern Laboratories | | | |
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr | CEL California Eastern Laboratories | | | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr | CEL California Eastern Laboratories | | | |
XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr | CEL California Eastern Laboratories | | | |
XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
NE3515S02-T1D产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3515S02-T1D
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Low Noise Pseudomorphic
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSSJ |
1736+ |
. |
8298 |
只做进口原装正品假一赔十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SMT-86 |
822 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS |
23+ |
SO2 |
12456 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
RENESAS |
23+ |
SO2 |
8188 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S02 |
2000 |
||||
RENESAS |
22+ |
SO2 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
NEC |
2020+ |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
||||
NEC |
2018+ |
SMT-86 |
3879 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
RENESAS |
SO2 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
NEC |
标准封装 |
57869 |
一级代理原装正品现货期货均可订购 |
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2021-12-6NE3512S02-T1DNE3512S02-T1C
NE3512S02-T1C，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.NE3512S02-T1D
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-3-22
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