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NE3512S02-T1C-A价格
参考价格：￥3.5101
型号：NE3512S02-T1C-A 品牌：CEL 备注：这里有NE3512S02-T1C-A多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NE3512S02-T1C-A批发/采购报价，NE3512S02-T1C-A行情走势销售排行榜，NE3512S02-T1C-A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3512S02-T1C-A | HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
NE3512S02-T1C-A | 封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：托盘 描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | |
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：200.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
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HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：270.66 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE3512S02-T1C-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3512S02-T1C-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
NEC |
23+ |
TO-50 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
S02 |
6000 |
||||
RENESAS |
23+ |
SMT |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
S02 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
NEC |
23+ |
NA/ |
800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NEC |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
SMT-贴片 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
NEC |
2020+ |
TO50 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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2023-9-26NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-3-22
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