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NE3510M04-T2-A价格
参考价格:¥5.2093
型号:NE3510M04-T2-A 品牌:CEL 备注:这里有NE3510M04-T2-A多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NE3510M04-T2-A批发/采购报价,NE3510M04-T2-A行情走势销售排行榜,NE3510M04-T2-A报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NE3510M04-T2-A | HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件:180.75 Kbytes Page:11 Pages | CEL California Eastern Laboratories | ||
NE3510M04-T2-A | 封装/外壳:SOT-343F 包装:托盘 描述:FET RF 4V 4GHZ M04 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件:180.75 Kbytes Page:11 Pages | CEL California Eastern Laboratories | |||
LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件:216.55 Kbytes Page:12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件:216.55 Kbytes Page:12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |
NE3510M04-T2-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3510M04-T2-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS(最大值/最小值)
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS |
15+ |
SOT-343 |
7600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RENESAS |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
RENESAS/Renesas Electronics Am |
21+ |
SOT-343 |
7600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
M04 |
3000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
10+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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CEL |
23+ |
S02 |
9000 |
原装正品,支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
CEL |
22+ |
S02 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RENESAS |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
NE3510M04-T2-A规格书下载地址
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2021-8-23NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-17NE3512
NE3512,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,
2019-3-22NE3512S02-T1D
NE3512S02-T1D,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,
2019-3-22
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