位置：首页 > IC中文资料第2276页 > NE3508M04-T2-A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3508M04-T2-A | HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISITOR 文件：1.2932 Mbytes Page：11 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  |   |
NE3508M04-T2-A | 封装/外壳：SOT-343F 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISITOR 文件：1.2932 Mbytes Page：11 Pages | CEL California Eastern Laboratories | | | |
LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：213.54 Kbytes Page：12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：213.54 Kbytes Page：12 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
NE3508M04-T2-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3508M04-T2-A
- 功能描述
射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
N/A |
85500 |
正品授权货源可靠 |
||||
NEC |
23+ |
NA/ |
306 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS |
20+ |
SOT343 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS |
2020+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
RENESAS |
19+ |
SOT343 |
87039 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+21+ |
SOT-343 |
2403 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
瑞萨 |
23+ |
SOT-343 |
65870 |
||||
NEC |
SOT343 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
SOT343 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
RENESAS |
NA |
7880 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
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