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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NE3503M04-T2 | CTOKuBANDSUPERLOWNOISEANDHIGH-GAINAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：206.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NECsCTOKuBANDSUPERLOWNOISEANDHIGH-GAINAMPLIFIERN-CHANNERHJ-FET 文件：394.61 Kbytes Page：7 Pages | CEL California Eastern Laboratories |  | | |
封装/外壳：SOT-343F 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 4V 12GHZ M04 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | | |
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEANDHIGH-GAINAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET 文件：206.76 Kbytes Page：11 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
封装/外壳：4-SMD，扁平引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：FET RF 4V 12GHZ M04 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | CEL California Eastern Laboratories | | |
NE3503M04-T2产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE3503M04-T2
- 功能描述
射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
16+ |
SOT-143 |
9750 |
一级代理分销/现货/可长期供应!! |
|||
RENESAS |
SOT343 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
NEC |
22+23+ |
SOT-343 |
41706 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT343 |
8000 |
只做原装正品现货 |
|||
NEC |
2022 |
SC70-4 |
7700 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
|||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
SOT-343 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
3000 |
公司存货 |
||||||
NEC |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
|||
RENESAS |
2020+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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2019-3-22
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