型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NDB510AE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
NDB510AE

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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FairchildFairchild Semiconductor

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Fairchild

ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES

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LINEARANDROTARYPOSITION

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Honeywell

CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)

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etc2

LINEARANDROTARYPOSITION

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Honeywell

NDB510AE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NDB510AE

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

更新时间:2024-5-11 19:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS/国半
97+
TO-263
7560
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOT/ON
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TO-
6000
原装正品,支持实单
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2022
TO-263
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F
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3000
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TO263
8862
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68500
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