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NCP382HMN15A-ATXG | FixedCurrent-LimitingPower-DistributionSwitches 文件：172.02 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
SOP-8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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23597 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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一级代理放心采购 |
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ONSemiconductor |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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2021-11-25NCP43080ADR2G
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2021-8-19NCP361SNT1G
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2020-9-22NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料
该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的，无损坏或逻辑不安，高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容，并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
2013-2-26NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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