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NCP361SNT1G/BKN价格
参考价格:¥1.6161
型号:NCP361SNT1G/BKN 品牌:ON Semiconductor 备注:这里有NCP361SNT1G/BKN多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP361SNT1G/BKN批发/采购报价,NCP361SNT1G/BKN行情走势销售排行榜,NCP361SNT1G/BKN报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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USBPositiveOvervoltageProtectionControllerwithInternalPMOSFETandOvercurrentProtection TheNCP361disconnectssystemsatitsoutputwhenwrongVBUS operatingconditionsaredetectedatitsinput.Thesystemispositive over−voltageprotectedupto+20V. ThankstoanintegratedPMOSFET,noexternaldeviceis necessary,reducingthesystemcostandthePCBareaofthe applicati | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
USBPositiveOvervoltageProtectionControllerwithInternalPMOSFETandOvercurrentProtection 文件:721.82 Kbytes Page:12 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
USBPositiveOvervoltageProtectionControllerwithInternalPMOSFETandOvercurrentProtection 文件:723.74 Kbytes Page:12 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
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IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
19+ |
SOT23-5 |
86846 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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ON/安森美 |
SOT23-5 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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ON |
2021+ |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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ON |
22+23+ |
SOT23-5 |
66504 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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ON/安森美 |
19+ |
SOT23-5 |
6000 |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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ON/安森美 |
2122+ |
SOT23 |
18990 |
原装正品,假一赔十,价格优势 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT23 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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ON/安森美 |
21+ |
SOT23-5 |
60000 |
只售原装进口正品 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
NCP361SNT1G/BKN规格书下载地址
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2021-8-19NCP361SNT1G
MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器
2020-9-22NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料
该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
2013-2-26NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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