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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
NCP3488DR2G	MOSFETDriverwithDualOutputsforSynchronousBuckConverters 文件：139.14 Kbytes Page：7 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3488DR2G	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP3488DR2G供应商更多...

更新时间：2024-5-22 22:58:00

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NCP4318ALLDR2G
onsemi的双通道同步整流(SR)控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26