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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
ADM3063E	3.0Vto5.5V,±12kVIECESDProtected,500kbps/50MbpsRS-485Transceivers FEATURES ►TIA/EIARS-485compliantoverfullsupplyrange ►3.0Vto5.5VoperatingvoltagerangeonVCC ►1.62Vto5.5VVIOlogicsupplyoptionavailable ►ESDprotectiononthebuspins ►IEC61000-4-2≥±12kVcontactdischarge ►IEC61000-4-2≥±12kVairdischarge ►HBM≥±30kV ►	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD-3063	ADSLMICROFILTER 文件：66.46 Kbytes Page：1 Pages	BOTHHAND Bothhand USA
AD-3063C	ADSLMICROFILTER 文件：102.58 Kbytes Page：1 Pages	BOTHHAND Bothhand USA
ADM3063E	IECESDProtected,500kbps/50MbpsRS-485Transceivers 文件：683.97 Kbytes Page：28 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADM3063E	3.0Vto5.5V,짹12kVIECESDProtected,500kbps/50MbpsRS-485Transceivers 文件：594.9 Kbytes Page：27 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

NCP3063_BUCK_EVB供应商更多...

更新时间：2024-5-16 23:38:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ADM3063EBRZ-R7	Analog Devices Inc.	24+	14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	25000	in stock接口IC-原装正品	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	ADM3063EARZ-R7	ADI/亚德诺	22+	SOIC-14	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	ADM3063EARZ-R7	ADI/亚德诺	23+	SOIC-14	10000	原装正品，支持实单	询价
深圳市振宏微科技有限公司	ADM3063EBRZ-R7	ADI(亚德诺)	23+	NA	10000	原装,BOM表可配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	ADM3063EARZ-R7	ADI/亚德诺	21+	SOIC-14	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市中飞芯源科技有限公司	ADM3063EBRZ-R7	ADI(亚德诺)	23+	N/A	10000	原装，可配单	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	ADM3063EBRZ	ADI			726222		询价
深圳市诺美思科技有限公司	ADM3063EBRZ	Analog Devices Inc.	22+/23+	14-SOIC	7500	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	ADM3063EBRZ-R7	ADI(亚德诺)	23+	SOP-14	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	ADM3063EARZ-R7	ADI(亚德诺)	23+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26