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芯片资料

参考价格：￥1.0478

型号：NCP303LSN24T1G 品牌：ON 备注：这里有NCP303LSN24T1多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP303LSN24T1批发/采购报价，NCP303LSN24T1行情走势销售排行榜，NCP303LSN24T1报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP303LSN24T1	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：183.48 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：194.82 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：207.57 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1	VoltageDetectorSeries 文件：177.45 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1	封装/外壳：SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 包装：管件描述：IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 5TSOP 集成电路（IC）监控器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1G	封装/外壳：SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 包装：卷带（TR）描述：IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-5 集成电路（IC）监控器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1G	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：207.57 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303LSN24T1G	VoltageDetectorSerieswithProgrammableDelay 文件：194.82 Kbytes Page：26 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP303LSN24T1供应商更多...

更新时间：2024-6-14 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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讯运(深圳/上海)电子有限公司	NCP303LSN24T1G	onsemi(安森美)	2021+	TSOP-5	499		询价
深圳兆威电子有限公司	NCP303LSN24T1G	ON/安森美	23+	TSOT-23-5	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NCP303LSN24T1	ON	23+	SOT23-5	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市毅创弘电子科技有限公司	NCP303LSN24T1	ONSemiconductor	23+	5-TSOP	66800	进口原装一级分销	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NCP303LSN24T1	ON	22+	SOT-153	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NCP303LSN24T1G	ON	1742+	TSOP-5	98215	只要网上有绝对有货!只做原装正品!	询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26