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MTD8N06E

TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technolgythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM

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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

TMOSPOWERFET8.0AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.12OHM

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MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

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更新时间:2024-6-1 16:54:00
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