位置：首页 > IC中文资料第5870页 > MTD20N06
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MTD20N06 | TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50 | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  |   |
TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewith | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
TMOSPOWERFETLOGICLEVEL20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.045OHM HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
TMOSPOWERFET20AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSV™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50 | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
PowerMOSFET20Amps,60VoltsN?묬hannelDPAK 文件：293.59 Kbytes Page：11 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
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PowerMOSFET20Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK 文件：227.27 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.4 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.37 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N?묬hannelDPAK 文件：176.95 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.31 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired | UMWUMW 友台友台半导体 |  | | |
FastSwitching 文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 |  | | |
N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages | CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司 | | |
MTD20N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
MTD20N06
- 制造商
MOTOROLA
- 制造商全称
Motorola, Inc
- 功能描述
TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
23+ |
TO-252D |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
23+ |
N/A |
49500 |
正品授权货源可靠 |
||||
ON/安森美 |
TO252 |
15238 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
ON |
2023+ |
TO-252 |
4835 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
ON |
2016+ |
TO252 |
2654 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
5000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
ON |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
ON/安森美 |
SOT-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
ON |
2024+ |
DPAK-2 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
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MTD6P10E，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-28
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