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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTD10N08E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTP10N08

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MTP10N08

IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MTP10N08

N-ChannelPowerMosfets,

文件：338.75 Kbytes Page：5 Pages

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

ARTSCHIP

MTD10N08E供应商更多...

更新时间：2024-5-21 10:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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