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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB1N100E

TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTS

TMOSPOWERFET1.0AMPERES1000VOLTSRDS(on)=9.0OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilit

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
1N100

OptimizedforRadioFrequencyResponse

OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N100

GOLDBONDEDDIODES

[VMI] 200V-1,000VSinglePhaseBridge 22.0A-25.0AForwardCurrent 70ns-3000nsRecoveryTime

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N100

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

[BKCInternationalElectronicsInc.] GOLDBONDEDDIODES

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N100

MEDIUMANDLOWVOLTAGEGERMANIUMDIODES

MEDIUMANDLOWVOLTAGEGERMANIUMDIODES

AMMSEMI

American Microsemiconductor

AMMSEMI
1N100A

OptimizedforRadioFrequencyResponse

OptimizedforRadioFrequencyResponse CanbeusedinmanyAM,FMandTV-IFapplications,replacingpointcontactdevices. Features ●Lowerleakagecurrent ●Flatjunctioncapacitance ●Highmechanicalstrength ●Atleast1millionhoursMTBF ●BKCsSigma-Bond™platingforproblemfreesold

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

MTB1N100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB1N100

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS

MTB1N100供应商更多...

更新时间：2024-6-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MTB20A03Q8
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ON
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ON
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699839
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MTB1N100E
ON/ON Semiconductor/安森美/安
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TO-263
197
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80000
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MTB1N100E
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TO-263
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原装正品,支持实单
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MTB20A03KQ8
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21+
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本公司只售原装 支持实单
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深圳市天芯威科技有限公司
MTB20A03KQ8
CYSTECH/全宇昕
21+
SOP8
19800
一站式BOM配单
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易创佳业科技（深圳）有限公司
MTB20A03KQ8
全宇昕
23+
SOP-8
6000
原装正品，支持实单
询价

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