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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

PrecisionPotentiometer/PositionSensor

文件:417.4 Kbytes Page:3 Pages

BITECH

瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

BITECH

0.5ADualUSBHigh-SidePowerSwitch

文件:222.45 Kbytes Page:9 Pages

AIC

AIC Inc.(Advanced Industrial Computer, Inc.)

AIC

High-SpeedUSB2.0(480Mbps)DPDTSwitch

文件:518.88 Kbytes Page:10 Pages

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2024-10-31 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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VBsemi/台湾微碧
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