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SYNCHRONOUSDRAM

GeneralDescription The256MbSDRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorycontaining268,435,456bits.Itisinternallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface(allsignalsareregisteredonthepositiveedgeoftheclocksignal,CLK).Eachofthex4’s67,108,864-

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镁光美国镁光科技有限公司

Micron

256Mb:x4,x8,x16SDRAM

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更新时间:2024-6-1 17:08:01
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