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MT47H128M8CF-187E:H

封装/外壳:60-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路(IC) 存储器

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

封装/外壳:60-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 集成电路(IC) 存储器

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

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Micron

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features •VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V •JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) •Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option •4n-bitprefetcharchitecture •Dup

MicronMicron Technology Inc.

镁光美国镁光科技有限公司

Micron

MT47H128M8CF-187E:H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MT47H128M8CF-187E:H

  • 功能描述

    IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    72

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步

  • 存储容量

    4.5M(256K x 18)

  • 速度

    133MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP(14x20)

  • 包装

    托盘

更新时间:2024-5-11 13:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Micron/Micron Technology Inc./
21+
BGA
674
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MICRON
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MICRON
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