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MRFG35010AR1

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWiMAX,WLL/MMDSorUMTSdriverandfinalapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABorClassAlinearbasestationapplications. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPer

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MRFG35010AR1

GalliumArsenidePHEMTRFPowerFieldEffectTransistor

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
MRFG35010AR1

封装/外壳:NI-360HF 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MRFG35010AR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35010AR1

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-5-22 19:36:00
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