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位置：首页 > IC中文资料第9368页 > MRFG35003MT1

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRFG35003MT1

RFReferenceDesignLibraryGalliumArsenidePHEMT

RFReferenceDesignLibrary GalliumArsenidePHEMT RFPowerFieldEffectTransistors DeviceCharacteristics(FromDeviceDataSheet) DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DevicesareunmatchedandaresuitableforuseinClassABlinearbas

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale
MRFG35003MT1

TheRFGaAsLineGALLIUMARSENIDEPHEMTRFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TheRFGaAsLine GalliumArsenidePHEMT RFPowerFieldEffectTransistor DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. •TypicalW–CDMAPerformance:–42dBcA

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MRFG35003MT1

封装/外壳：PLD-1.5 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MRFG35003MT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRFG35003MT1

  • 功能描述

    MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRFG35003MT1供应商更多...

更新时间：2024-4-28 21:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MRFG35003N6AT1
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