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位置：首页 > IC中文资料第2489页 > MRF21010LR1

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF21010LR1

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MRF21010LR1

RFPowerFieldEffectTransistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MRF21010LR1

封装/外壳：NI-360 包装：散装 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
MRF21010LR1

RFPowerFieldEffectTransistors

文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale
MRF21010LR1_06

RFPowerFieldEffectTransistors

文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

MRF21010LR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21010LR1

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-360

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF21010LR1供应商更多...

更新时间：2024-5-19 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MRF21010LS
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MRF21010LR1
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MRF21010LR1
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MRF21010LR1
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NI-360
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MRF21010LR1
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MRF21010LR1
FREESCAL
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NI-360
28600
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