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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts, | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  |   | |
RFPowerFieldEffectTransistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | | |
RFPowerFieldEffectTransistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts, | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | | |
RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=26Volts, | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 | | | |
RFPowerFieldEffectTransistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforV | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | | |
封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 |  | | |
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | | |
MRF19085L产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF19085L
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
2020+ |
SMD |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
MOTOROLA |
23+ |
MODL |
20000 |
原厂原装正品现货 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
24+ |
MODL |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
MOT |
SMD |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
FreeScale |
23+ |
高频管模块 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
MOTOROLA |
02+08 |
3 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
SMD |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
MOTOROLA |
2022 |
166 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
||||
MOTOROLA |
19+ |
DIP |
85476 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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- msm7227a
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- MRF240
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- MRF237
- MRF235
- MRF234
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- MRF232
- MRF231
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- MRF2
- MRF1A(AMMO)
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MRF166C
优势渠道
2023-12-20MRF18060A
MRF18060A，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2020-12-7MRF186，MRF187，MRF19030，MRF19030L，MRF19030LS，MRF19030S
MRF186，MRF187，MRF19030，MRF19030L，MRF19030LS，MRF19030S
2020-3-26MRF6S21140HR5，MRF6S21140HS，MRF6S21140HSR5，MRF6S21190H
MRF6S21140HR5，MRF6S21140HS，MRF6S21140HSR5，MRF6S21190H
2020-3-26MRF572
MRF572，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-30MRF571
MRF571，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-30
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