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MMSZ5256B-AU

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to51VoltsPOWER500mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •500mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincom

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

封装/外壳:SOD-123 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

HashChoke

文件:2.31952 Mbytes Page:2 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

5200Series-HashChoke

文件:2.28613 Mbytes Page:2 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

5200Series-HashChoke

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

In-SystemProgrammable3.3VSuperWIDE??HighDensityPLD

文件:311.85 Kbytes Page:25 Pages

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice

In-SystemProgrammable3.3VSuperWIDE??HighDensityPLD

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LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice
更新时间:2024-6-6 8:26:00
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    2020-11-14
  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MMSZ5243BT1

    MMSZ5243BT1,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-4
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    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MMSZ5248BT1G

    MMSZ5248BT1G

    2019-11-15
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17