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位置：首页 > IC中文资料第1886页 > MMBTA13

MMBTA13晶体管资料

  • MMBTA13别名：MMBTA13三极管、MMBTA13晶体管、MMBTA13晶体三极管

  • MMBTA13生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBTA13制作材料：Si-N+Darl

  • MMBTA13性质：低频或音频放大 （LF）

  • MMBTA13封装形式：贴片封装

  • MMBTA13极限工作电压：

  • MMBTA13最大电流允许值：0.5A

  • MMBTA13最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MMBTA13引脚数：3

  • MMBTA13最大耗散功率：

  • MMBTA13放大倍数：

  • MMBTA13图片代号：H-15

  • MMBTA13vtest：0

  • MMBTA13htest：999900

  • MMBTA13atest：.5

  • MMBTA13wtest：0

  • MMBTA13代换 MMBTA13用什么型号代替：BCV27,BCV47,PMBTA13,SMBTA13,

MMBTA13价格

参考价格：￥0.1548

型号：MMBTA13 品牌：Fairchild 备注：这里有MMBTA13多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBTA13批发/采购报价，MMBTA13行情走势销售排行榜，MMBTA13报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBTA13

NPN Darlington Transistor

NPNDarlingtonTransistor •ThisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighCurrentgain atcollectorCurrentsto1.0A. •Sourcedfromprocess05.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA63/MMBTA64) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DARLINGTON TRANSISTOR)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. DARLINGTONTRANSISTOR.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

Features •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto+150°C •RθJAis556OC/W(MountedonFR-5PCB1.0”x0.75”x0.062”) •Capableof225mWattsofPowerDissipation •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Marking:MMBTA13---K2D;MMBTA14---K3D •LeadFreeFinish/RoHSCo

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13

NPN Silicon Darlington Transistors

NPNSiliconDarlingtonTransistors ●HighDCcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
MMBTA13

TRANSISTOR竊뉿PN竊

TRANSISTOR（NPN） FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
MMBTA13

NPN Transistors Darlington Amplifier

NPNTransistorsDarlingtonAmplifier

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
MMBTA13

DARLINGTON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMBTA13isaDarlingtontransistor. FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCES=30V *CollectorDissipation:PC(MAS)=350mW

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13

NPN General Purpose Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBTA63/MMBTA64). ●Highcurrentgain APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBTA13

NPN Silicon Epitaxial Planar Darlington Transistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarDarlingtonTransistor SOT-23PlasticPackage

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

SEMTECH_ELEC
MMBTA13

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES •DarlingtonAmplifier

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

Daya Electric Group Co., Ltd.

DAYA
MMBTA13

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES •DarlingtonAmplifier

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

HTSEMI
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA63,MMBTA64) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain

TRSYS

Transys Electronics

TRSYS
MMBTA13

Darlington Amplifier Transistor NPN Silicon

FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
MMBTA13

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package

Featuress SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highcurrentgain. Applications Applicationsrequiringextremelyhighcurrentgaindevicedesigned.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBTA63/MMBTA64). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
MMBTA13

DarlingtonAmplifier Transistors

DarlingtonAmplifierTransistors ​​​​​​​ ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.

FS

First Silicon Co., Ltd

FS
MMBTA13

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES •DarlingtonAmplifier

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH
MMBTA13

Darlington Amplifier

FEATURES •DarlingtonAmplifier

MAKOSEMI

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

MAKOSEMI
MMBTA13

Power dissipation

FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
MMBTA13

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES •DarlingtonAmplifier

MAKOSEMI

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

MAKOSEMI
MMBTA13

TRANSISTOR (NPN)

文件：770.16 Kbytes Page：4 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
MMBTA13

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：77.6 Kbytes Page：2 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：277.27 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：133.59 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBTA13

Darlington Amplifier Transistor NPN Silicon

文件：885.04 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：265.16 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13

NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)

文件：26.88 Kbytes Page：1 Pages

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung
MMBTA13

SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

文件：300.66 Kbytes Page：6 Pages

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

RECTRON
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：120.01 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：154.57 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13-7

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypesAvailable(MMBTA63/MMBTA64) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13L

GENERAL PURPOSE TRANSISTORS DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTORS

DESCRIPTION The MBTA13~MBTA14areavailableinSOT23 package. FEATURES AvailableinSOT23package

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI
MMBTA13LT1

Darlington Amplifier Transistors

NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MMBTA13LT1

Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

NPNSilicon

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMBTA13LT1

Darlington Amplifier Transistors

DarlingtonAmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13LT1_06

Darlington Amplifier Transistors

DarlingtonAmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13LT1G

Darlington Amplifier Transistors

DarlingtonAmplifierTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13_08

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：154.57 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13_1

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13_11

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：265.16 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13_11

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：77.6 Kbytes Page：2 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13_14

TRANSISTOR (NPN)

文件：770.16 Kbytes Page：4 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
MMBTA13_14

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：133.59 Kbytes Page：3 Pages

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
MMBTA13_15

Darlington Amplifier Transistor NPN Silicon

文件：885.04 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
MMBTA13_15

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：120.65 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13_15

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：127.49 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13_17

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：277.27 Kbytes Page：5 Pages

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
MMBTA13_2

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：120.01 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13-7

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装 描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

PAMDiodes Incorporated

龙鼎威

PAM
MMBTA13-7-F

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13-7-F

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：120.01 Kbytes Page：3 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
MMBTA13G-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：77.6 Kbytes Page：2 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13G-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：127.49 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13L

Darlington Amplifier Transistors

文件：194.2 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13L-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：77.6 Kbytes Page：2 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
MMBTA13LT1

Darlington Amplifier Transistors

文件：194.2 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMBTA13LT1

Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

文件：235.66 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MMBTA13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBTA13

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MMBTA13供应商更多...

更新时间：2024-4-30 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市航宇科工半导体有限公司
MMBTA13LT1G
ON/安森美
21+
SOT-23
600000
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴!
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
MMBTA13-TP
Micro Commercial Co
23+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市天成基业科技有限公司
MMBTA13
FAIRCHILD
20+/21+
SOT-23
9500
全新原装现货
询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司
MMBTA13LT1G
ON
08+
SOT23
50000
深圳现货
询价
深圳市振宏微科技有限公司
MMBTA13
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
MMBTA13
CJ
2020+
SOT-23
350000
100%进口原装正品公司现货库存
询价
深圳市正迈科技有限公司
MMBTA13
FSC/ON
23+
原包装原封□□
5182
原装进口特价供应QQ1304306553更多详细咨询库存
询价
绿盛电子(香港)有限公司
MMBTA13
ON
2015+
SOP/DIP
19889
一级代理原装现货,特价热卖!
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深圳市昌和盛利电子有限公司
MMBTA13
INFINEON
23+
SOT-23
9526
询价
深圳市汇莱威科技有限公司
MMBTA13LT1G
ON/安森美
SOT23
7906200
询价

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