位置：首页 > IC中文资料第732页 > MMBT4401_Q
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DO-41Case
| NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  |   | |
GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •Complimentary(PNP)device:2N4403 •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirective | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  | | |
TO-92BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN) 文件：442.97 Kbytes Page：6 Pages | RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司 |  | | |
NPNGeneralPurposeAmplifier 文件：218.45 Kbytes Page：4 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 |  | |
MMBT4401_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4401_Q
- 功能描述
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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胶壳 |
10000 |
全新、原装 |
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3
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