位置:首页 > IC中文资料第732页 > MMBT4401_D87Z
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
MMBT4401_D87Z | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
NPNGeneralPuposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
MMBT4401_D87Z产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4401_D87Z
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
PANJIT/强茂 |
15+ |
SOT23-3 |
18850 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
DIODES |
1715+ |
SOP |
251156 |
只做原装正品现货假一赔十! |
|||
PANJIT/强茂 |
22+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
47350 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
PANJIT/强茂 |
22+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
35000 |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
|||
PANJIT |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT23 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
PANJIT/强茂 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
PANJIT |
21+ |
SOT-23 |
3050 |
全新原装鄙视假货15118075546 |
|||
CJ(江苏长电/长晶) |
新批次 |
SOT-23 SOT |
4326 |
MMBT4401_D87Z规格书下载地址
MMBT4401_D87Z参数引脚图相关
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- MMBT4401LT3
- MMBT4401LT1S
- MMBT4401LT1H
- MMBT4401LT1G
- MMBT4401LT1
- MMBT4401LT
- MMBT4401K
- MMBT4401-GS08
- MMBT4401-G
- MMBT4401FSTRND
- MMBT4401-7-F-31
- MMBT4401-7-F
- MMBT4401-7
- MMBT4401-13-F
- MMBT4401-13F
- MMBT4401-13-04-F
- MMBT4401-13-03-F
- MMBT4401-13-02-F
- MMBT4401-13
- MMBT4401_Q
- MMBT4401
- MMBT4400_Q
- MMBT4400
- MMBT4356
- MMBT4355_Q
- MMBT4355
- MMBT4354_Q
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- MMBT4126LT1G
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- MMBT4126-7
- MMBT4126_Q
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- MMBT4125LT1
- MMBT4124LT1G
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- MMBR931
- MMBR930
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2021-3-9MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货,欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型:NPN 电流-集电极(Ic)(最大值):600mA 电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic时的?Vce饱和值(最大值):750mV@50mA,500mA 不同?Ic,Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):100@150mA,1V 功率-最大值:300mW 频率-跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC
2020-9-3
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